型号:STB40N20 | 类别:FET - 单 | 制造商:STMicroelectronics |
封装:TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB | 描述:MOSFET N-CH 200V 40A D2PAK |
详细参数
类别 | FET - 单 |
---|---|
描述 | MOSFET N-CH 200V 40A D2PAK |
系列 | STripFET™ |
制造商 | STMicroelectronics |
FET型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
FET特点 | 标准 |
漏极至源极电压(Vdss) | 200V |
电流_连续漏极(Id)0a025000C | 40A |
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C | 45 毫欧 @ 20A,10V |
Id时的Vgs(th)111最大222 | 4V @ 250µA |
闸电荷(Qg)0a0Vgs | 75nC @ 10V |
输入电容(Ciss)0a0Vds | 2500pF @ 25V |
功率_最大 | 160W |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB |
供应商设备封装 | D2PAK |
包装 | 剪切带 (CT) |
供应商
深圳市易信优科技有限公司 | 陈佳隆0755-23914006/18318877587 |
深圳市芯柏然科技有限公司 | 欧阳0755-82533534 |
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1206(3216 公制),凹陷
RES ARRAY 390 OHM 4 RES 1206
- T95V106K6R3LZSL
钽
Vishay Sprague
1410(3727 公制)
CAP TANT 10UF 6.3V 10% 1410
- T97H337K020EAA
钽
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3226(8066 公制)
CAP TANT 330UF 20V 10% 3226
- SMBJ8.5CA
TVS - 二极管
Bourns Inc.
DO-214AA,SMB
DIODE TVS 8.5V 600W BI 5% SMD
- SR201E104MARTR2
陶瓷
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径向
CAP CER 0.1UF 100V 20% RADIAL
- MT9HTF12872AZ-80EH1
存储器 - 模块
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240-UDIMM
MODULE DDR2 SDRAM 1GB 240UDIMM
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网络、阵列
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1206(3216 公制),凹陷
RES ARRAY 3.9K OHM 4 RES 1206
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钽
Vishay Sprague
1410(3727 公制)
CAP TANT 10UF 6.3V 20% 1410
- T97R106K075LSA
钽
Vishay Sprague
2824(7260 公制)
CAP TANT 10UF 75V 10% 2824
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陶瓷
AVX Corporation
径向
CAP CER 0.22UF 100V 20% RADIAL
- TC164-JR-073K9L
网络、阵列
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1206(3216 公制),凹陷
RES ARRAY 3.9K OHM 4 RES 1206
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1410(3727 公制)
CAP TANT 10UF 6.3V 20% 1410
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径向
CAP CER 0.22UF 100V 20% RADIAL
- T95V106M6R3EZSL
钽
Vishay Sprague
1410(3727 公制)
CAP TANT 10UF 6.3V 20% 1410
- TC164-JR-073RL
网络、阵列
Yageo
1206(3216 公制),凹陷
RES ARRAY 3 OHM 4 RES 1206
- T97R108K6R3CAB
钽
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3024(7660 公制)
CAP TANT 1000UF 6.3V 10% 3024
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1410(3727 公制)
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Yageo
1206(3216 公制),凹陷
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网络、阵列
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1206(3216 公制),凹陷
RES ARRAY 51K OHM 4 RES 1206
- MT9HTF25672AZ-667C1
存储器 - 模块
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- T97R156K050HAS
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